12N80L-TF2-T_UTC_友顺_TO220F_MOSFETs

12N80L-TF2-T_UTC_友顺_TO220F_MOSFETs

12N80L-TF2-T 型号参数

12N80L-TF2-T是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如空调、台式电脑主机、话筒（麦克风）、指纹识别器、现场可编程门阵列（FPGA），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：12N80L-TF2-T
品牌：友顺(UTC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如路由器、电子美容仪、射频连接器、电子咖啡机、汽车、洗衣机、频谱分析仪、逆变器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23

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