热门型号

12N80L-TF2-T_UTC_友顺_TO220F_MOSFETs

12N80L-TF2-T 型号参数

12N80L-TF2-T是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像机、智能手环、 MP4播放器、智能手表、电子搅拌器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车充电器、网络适配器、交流电源、电子秤、频谱分析仪、摄像机、扫地机器人、电子体重秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
UT9435HG-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W

相关资料