TK100E08N1_S1X(S_Toshiba_东芝_TO-220-3_MOSFETs

TK100E08N1_S1X(S_Toshiba_东芝_TO-220-3_MOSFETs

TK100E08N1,S1X(S 型号参数

TK100E08N1,S1X(S是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子签到系统、扫地机器人、电子搅拌器、扫描仪、数码相机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TK100E08N1,S1X(S
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220

应用场景

MOSFETs可应用场景，如液晶显示器、 CT扫描仪、电子加湿器、电子温度计、电子门锁、光纤连接器、信号发生器、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS

型号相关

热门型号