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TK100E08N1_S1X(S_Toshiba_东芝_TO-220-3_MOSFETs

TK100E08N1,S1X(S 型号参数

TK100E08N1,S1X(S是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、无人机、虚拟现实头盔、 MP3播放器、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TK100E08N1,S1X(S
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220

应用场景

MOSFETs可应用场景，如汽车、逻辑分析仪、气体报警器、电子门锁、功放器、安防摄像头、智能手环、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A

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