TPHR9003NL_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

TPHR9003NL_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

TPHR9003NL,L1Q 型号参数

TPHR9003NL,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子驱蚊器、 MRI扫描仪、手机充电器、音响系统、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TPHR9003NL,L1Q
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、安防摄像头、电子计算器、 DVD播放器、笔记本电脑、显卡、电路板、电子词典等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）

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