SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs

SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs

SSM3K123TU,LF 型号参数

SSM3K123TU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防摄像头、电源供应器、心电图仪、话筒（麦克风）、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3K123TU,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如稳压电源、直流电源、电子温度计、血糖仪、音频功率放大器、虚拟现实头盔、 LED照明灯、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

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