SQ2325ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2325ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2325ES-T1_GE3 型号参数

SQ2325ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、电子门锁、计算机、电动车、机器人，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SQ2325ES-T1_GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

应用场景

MOSFETs可应用场景，如安防监控系统、安防摄像头、显示器、机械硬盘、路由器、电子厨房计时器、电子驱蚊器、频谱分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8

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