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SQ2325ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2325ES-T1_GE3 型号参数

SQ2325ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙音箱、智能插座、智能手表、电子咖啡机、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、吉他效果器、电磁炉、电子门禁卡、音频信号处理器、微处理器、示波器、 DVD播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB

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