SI7113DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SI7113DN-T1-GE3 型号参数

SI7113DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、音频功率放大器、逆变器、蓝牙耳机、功放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、录像机、网络适配器、显卡、模拟信号处理器（ASP）、烟雾报警器、 B超机、智能家居控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A

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