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SI4425DDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8_150MIL_MOSFETs

SI4425DDY-T1-GE3 型号参数

SI4425DDY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子琴、 CT扫描仪、遥控器、热水器、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI4425DDY-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL

应用场景

MOSFETs可应用场景，如吸尘器、智能手环、计算机、直流电源、电子血压计、电子广告牌、烤箱、电子除湿机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SIR158DP-T1-GE3	MOSFET PowerPAKSO-8 N-Channel ID=60A
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3

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