SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7898DP-T1-GE3 型号参数

SI7898DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、话筒（麦克风）、无线网卡、直流电源、无人机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车、电子血压计袖带、平板电脑、洗衣机、空调、吉他效果器、射频连接器、微波炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
IRFP264PBF	MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
SIR158DP-T1-GE3	MOSFET PowerPAKSO-8 N-Channel ID=60A
SI7613DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SI2337DS-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A

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