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SI7898DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7898DP-T1-GE3 型号参数

SI7898DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子空气净化器、扬声器、电子签到系统、血糖仪、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7898DP-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如交换机、电子罗盘、电子咖啡机、蓝牙音箱、吸尘器、血糖仪、内存条、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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