热门型号

SIS406DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SIS406DN-T1-GE3 型号参数

SIS406DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、电子净水器、触摸屏、电子词典、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIS406DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如调音台、游戏机、遥控器、无人机、网卡、智能家居控制系统、数码相机、录像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2319DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252

相关资料