SIS406DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SIS406DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SIS406DN-T1-GE3 型号参数

SIS406DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无人机、显示器、电子游戏机手柄、示波器、汽车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIS406DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如音响系统、数字信号处理器（DSP）、交换机、复印机、电子翻译器、 LED照明灯、 B超机、电子游戏机手柄等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
IRFP460APBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
IRFP9240PBF	MOS管 P-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=500mΩ@10V TO247AC
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3

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