SI2308BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2308BDS-T1-GE3 型号参数

SI2308BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、频谱分析仪、电子搅拌器、电子温度计、电子气压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如整流器、智能手环、数码相机、电子罗盘、电子体重秤、电子除螨仪、安防监控系统、电子空气净化器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI4401BDY-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3

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