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SI2319DS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2319DS-T1-E3 型号参数

SI2319DS-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、烤箱、电子阅读器、智能家居控制器、电子白板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2319DS-T1-E3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

应用场景

MOSFETs可应用场景，如血糖仪、扫描仪、视频线材、电子游戏机手柄、 MRI扫描仪、电子体重秤、数字信号处理器（DSP）、耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
2N7002K-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=0.3A SOT23
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIA906EDJ-T1-GE3	VDS=20V ID=4.5A PD=1.9W 2 N-Channel PowerPAK SC70-6L MOSFETs ROHS
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB

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