SI4800BDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8L_150MIL_MOSFETs

SI4800BDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8L_150MIL_MOSFETs

SI4800BDY-T1-GE3 型号参数

SI4800BDY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、摄像头、平板电脑、功放器、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI4800BDY-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电源供应器、不间断电源（UPS）、电子美容仪、吉他效果器、现场可编程门阵列（FPGA）、电子助听器、血糖仪、打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI7148DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=11mΩ@10V PowerPAK® SO-8
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
IRFP240PBF	MOSFETs TO247AC N-Channel VDS=200V ID=20A

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