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SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、实验室离心机、功放器、烤箱、可编程逻辑控制器（PLC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如单片机、吉他效果器、 LED照明灯、电子驱蚊器、智能家居控制系统、电子翻译器、人脸识别设备、 GPS定位器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SI2301BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

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