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NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

NCEP30T21GU 型号参数

NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如集成电路板、 MP4播放器、汽车电子控制系统、不间断电源（UPS）、指纹识别器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、电饭煲、逆变器、扫描仪、心电图仪、电子净水器、笔记本电脑、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE8295AK	MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP

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