NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

NCEP30T21GU 型号参数

NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如现场可编程门阵列（FPGA）、电子驱蚊器、智能门锁、电子助听器、电子咖啡机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如触摸屏、 OLED显示屏、电子搅拌器、电子助听器、心电图仪、电子气压计、笔记本电脑、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP

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