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L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2N7002SLT1G 型号参数

L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制系统、手机、指纹识别器、电子书阅读器、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如指纹识别器、 MP3播放器、交换机、电子签到系统、 LED照明灯、液晶显示器、电路板、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET

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