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LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

LP3218DT1G 型号参数

LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 GPS定位器、空调、 MRI扫描仪、汽车电子控制系统、电子阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压计、整流器、电子温度计、液晶显示器、打印机、频谱分析仪、 OLED显示屏、饮水机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET

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