LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LBSS123LT1G 型号参数

LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、微处理器、虚拟现实头盔、 OLED显示屏、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如游戏机、变压器、 CT扫描仪、红外感应器、音频功率放大器、电子琴、蓝牙音箱、功放设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V

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