L2SK801LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2SK801LT1G 型号参数

L2SK801LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、电子计算器、逆变器、电子血压计袖带、智能手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：L2SK801LT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

MOSFETs可应用场景，如触摸屏、门禁系统、电饭煲、 MP3播放器、录像机、摄像机、功放设备、集成电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET

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