LP3443LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LP3443LT1G 型号参数

LP3443LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如游戏机、电子血压手环、蓝牙耳机、电子秤、显卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW

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