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LP3401LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LP3401LT1G 型号参数

LP3401LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED照明灯、模拟信号处理器（ASP）、显卡、调制解调器、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、汽车、电动车充电器、电子体重秤、电子广告牌、智能门锁、电子加湿器、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW

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