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WPM2015-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

WPM2015-3/TR 型号参数

WPM2015-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电饭煲、安防监控系统、整流器、电路板、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WPM2015-3/TR
品牌：韦尔(WILLSEMI)
分类：MOSFETs
参数：功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L

应用场景

MOSFETs可应用场景，如音响系统、电子阅读器、 3D打印机、吉他效果器、耳机、微波炉、电子罗盘、电子榨汁机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET

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