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WNM2021-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs

WNM2021-3/TR 型号参数

WNM2021-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子咖啡机、电子气压计、 MP4播放器、烤箱、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扬声器、电动自行车控制器、智能家居控制系统、空调、触摸屏、电子血压计、 GPS定位器、安防监控系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WNM4002-3/TR	MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A

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