WNM3019-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-523-3_MOSFETs

WNM3019-3/TR 型号参数

WNM3019-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子胎心监测仪、模拟信号处理器（ASP）、视频线材、智能家居控制器、手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车充电器、智能音箱、 MP3播放器、手机、电动自行车、音响系统、电视机、摩托车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23

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