WPM3021-8_TR_WILLSEMI_韦尔_SOP8L_MOSFETs

WPM3021-8/TR 型号参数

WPM3021-8/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放器、稳压电源、智能插座、视频线材、电子阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子除螨仪、智能照明系统、游戏机、音响系统、电子烤箱温度计、门禁系统、心电图仪、整流器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET

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