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US2MB_MDD_辰达半导体_SMB_快恢复/高效率二极管

US2MB 型号参数

US2MB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如饮水机、智能手环、显卡、门禁系统、电子手表，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电动车充电器、显示器、烟雾报警器、电子温度计、电子加湿器、投影仪、气体报警器、电子净水器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)
UF4007	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ES1D	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES3DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A
US1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
FR307	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV

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