US1G_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
US1G 型号参数
US1G是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 稳压电源、 电子助听器、 声卡、 微处理器、 智能手环 ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：US1G
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 MP3播放器、 电子加湿器、 专用集成电路（ASIC）、 电子书阅读器、 B超机、 模拟信号处理器（ASP）、 声卡、 手机 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
