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RS1G_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

RS1G 型号参数

RS1G是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、扬声器、示波器、电子厨房计时器、游戏机，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子气压计、路由器、手机充电器、射频连接器、话筒（麦克风）、计算机、电子驱蚊器、频谱分析仪等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
RS1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
SOD1F7	封装:SOD-123 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES1D	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
RS1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
RS3MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
B240A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A

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