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ES3DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管

ES3DB 型号参数

ES3DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动工具、视频线材、电子书阅读器、 MRI扫描仪、扫描仪，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子空气净化器、智能家居控制器、 LCD显示屏、万用表、模拟信号处理器（ASP）、电饭煲、热水器、气体报警器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
ES3DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A
ES2J	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A
HER308	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV
MUR460	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V
RS1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
FR107	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV

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