ES3DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管

ES3DB 型号参数

ES3DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、电子白板、电子游戏机手柄、智能手机、电子温度计，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子体重秤、指纹识别器、微处理器、智能家居控制系统、蓝牙耳机、游戏机、电饭煲、万用表等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UF4007	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
MUR4100	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.8V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ES2J	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A
RS3MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
SOD1F7	封装:SOD-123 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)

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