SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs

SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs

SIE808DF-T1-E3 型号参数

SIE808DF-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、电路板、 CT扫描仪、调制解调器、汽车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIE808DF-T1-E3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=1.6mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如逆变器、功放器、电子广告牌、智能手机、音响系统、光纤连接器、吉他效果器、电子琴等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI4800BDY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8

型号相关

热门型号