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SIA517DJ-T1-GE3_Vishay_威世_DFN6_2.05X2.05MM_MOSFETs

SIA517DJ-T1-GE3 型号参数

SIA517DJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无线网卡、扫地机器人、电子除螨仪、血糖仪、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、电子血压计袖带、功放设备、电子美容仪、机器人、电子按摩器、话筒（麦克风）、直流电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs

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