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SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SIS412DN-T1-GE3 型号参数

SIS412DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子温度计、录像机、整流器、 MP3播放器、电子体重秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIS412DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如人脸识别设备、调制解调器、数码相机、心电图仪、电子助听器、电子按摩器、射频连接器、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SIHG20N50C-E3	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=20A RDS(ON)=225mΩ@10V TO247AC

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