SIR882ADP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR882ADP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR882ADP-T1-GE3 型号参数

SIR882ADP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、电子血压手环、打印机、功放器、 GPS定位器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIR882ADP-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电动自行车控制器、音频功率放大器、无人机、路由器、电子白板、电子游戏机手柄、可编程逻辑控制器（PLC）、电磁炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
2N7002K-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=0.3A SOT23
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3

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