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SIR882ADP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR882ADP-T1-GE3 型号参数

SIR882ADP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、直流电源、集成电路板、电动车充电器、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能门锁、 OLED显示屏、机器人、 RFID读写器、电动自行车、摄像机、智能手表、汽车电子控制系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3

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