SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SIS443DN-T1-GE3 型号参数

SIS443DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、集成电路板、智能照明系统、智能手环、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIS443DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如数字信号处理器（DSP）、网卡、调制解调器、 LED照明灯、数码相机、 LED显示器、电子胎心监测仪、移动硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRFP450PBF	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=400mΩ@10V TO247AC
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8

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