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SI2312BDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2312BDS-T1-GE3 型号参数

SI2312BDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像机、逆变器、电子琴、蓝牙耳机、电子美容仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如热水器、整流器、 MP4播放器、电视机、功放设备、电磁炉、电子手表、电子词典等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIHG20N50C-E3	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=20A RDS(ON)=225mΩ@10V TO247AC
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB

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