NTZD3154NT1G_ON_安森美_SOT-563_MOSFETs

NTZD3154NT1G_ON_安森美_SOT-563_MOSFETs

NTZD3154NT1G 型号参数

NTZD3154NT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车、智能手表、万用表、扫描仪、电子湿度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NTZD3154NT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、电视机、现场可编程门阵列（FPGA）、电子血压计袖带、电子灭蚊灯、电动车、电子体重秤、移动硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDV302P	MOS管 P-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=120mA RDS(ON)=10Ω@4.5V SOT23
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
FDD6685	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=40A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
FDD8424H	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4
FDC5614P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6
BSS84LT1G	SOT23 225mW

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