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FDD8424H_ON_安森美_TO252-4_MOSFETs

FDD8424H 型号参数

FDD8424H是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 CT扫描仪、智能门锁、电子阅读器、射频连接器、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDD8424H
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4

应用场景

MOSFETs可应用场景，如手机、电子驱蚊器、整流器、机械硬盘、摄像头、音响设备、电子体温计探头、电子榨汁机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
FDA70N20	通孔 N 通道 200 V 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
2V7002KT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380mA RDS(ON)=2.5Ω@4.5V SOT23-3
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3

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