FDV302P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDV302P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDV302P 型号参数

FDV302P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LCD显示屏、电子签到系统、冰箱、液晶显示器、电子体重秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDV302P
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=120mA RDS(ON)=10Ω@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如音响系统、可编程逻辑控制器（PLC）、 GPS定位器、电子词典、笔记本电脑、饮水机、无人机、扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
FCD5N60TM	表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
NTJD5121NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3
FDD6685	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=40A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
FDB075N15A	表面贴装型 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263）
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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