NTR4171PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

NTR4171PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

NTR4171PT1G 型号参数

NTR4171PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、整流器、电子词典、声卡、电视机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NTR4171PT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、心电图仪、电子气压计、洗衣机、交换机、模拟信号处理器（ASP）、显示器、电子广告牌等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FCPF190N60	通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
FDS6675BZ	表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
NTR5105PT1G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=196mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
2N7002ET1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
NTS2101PT1G	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDN352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=1.3A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23-3
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3

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