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NTK3134NT1G_ON_安森美_SOT-723-3_MOSFETs

NTK3134NT1G 型号参数

NTK3134NT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、交换机、烤箱、电动自行车、电磁炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NTK3134NT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

应用场景

MOSFETs可应用场景，如示波器、音响设备、电源供应器、电子血压计袖带、洗衣机、电子血压计、智能手表、电视机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDL100N50F	通孔 N 通道 500 V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264-3
FQB30N06LTM	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=35Ω@10V TO263
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
FDMS86163P	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FCD5N60TM	表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
FQT7N10LTF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=350mΩ@10V SOT223
BSS123	SOT23-3 360mW
NTD5805NT4G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252

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