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FDD8896_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FDD8896 型号参数

FDD8896是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、电动自行车充电器、功放设备、电子净水器、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDD8896
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252

应用场景

MOSFETs可应用场景，如射频连接器、电子助听器、电子驱蚊器、 USB闪存盘、红外感应器、录像机、笔记本电脑、固态硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDL100N50F	通孔 N 通道 500 V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264-3
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
NTR5105PT1G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=196mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
FDS6690A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FDN5618P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.25A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3

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