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FDT458P_ON_安森美_SOT-223-3_MOSFETs

FDT458P 型号参数

FDT458P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、智能插座、智能手环、功放器、 RFID读写器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDT458P
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子灭蚊灯、微波炉、智能手表、集成电路板、网络适配器、电子美容仪、无人机、投影仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDT458P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
2N7002KW	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=310mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SC70-3
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
NDS355AN	表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
NVD5117PLT4G-VF01	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252
FDD6685	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=40A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3

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