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NTD5805NT4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NTD5805NT4G 型号参数

NTD5805NT4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如话筒（麦克风）、电子签到系统、智能家居控制系统、扬声器、声卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NTD5805NT4G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252

应用场景

MOSFETs可应用场景，如汽车电子控制系统、烟雾报警器、智能家居控制系统、网卡、内存条、智能音箱、电子榨汁机、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
2N7002KW	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=310mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SC70-3
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTD6416ANLT4G	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=19A RDS(ON)=74mΩ@10V TO252
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
FDD6685	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=40A RDS(ON)=20mΩ@10V TO252
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3

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