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FDMS86101DC_ON_安森美_PQFN8_MOSFETs

FDMS86101DC 型号参数

FDMS86101DC是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、声卡、打印机、机器人、射频连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDMS86101DC
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）

应用场景

MOSFETs可应用场景，如人脸识别设备、汽车、音频功率放大器、电子血压计、电子美容仪、音频信号处理器、电子琴、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FQPF4N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F
BS170	MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
NDC7002N	MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223

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