MGSF1N03LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

MGSF1N03LT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

MGSF1N03LT1G 型号参数

MGSF1N03LT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、音响设备、气体报警器、固态硬盘、吉他效果器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MGSF1N03LT1G
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子助听器、电子琴、音响设备、功放器、机械硬盘、电子除螨仪、 GPS定位器、打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FQPF6N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=2.3Ω@10V TO220F
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
2V7002KT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380mA RDS(ON)=2.5Ω@4.5V SOT23-3
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM

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