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NCEP026N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP026N10 型号参数

NCEP026N10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子除螨仪、电动工具、电子湿度计、智能照明系统、智能音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电视机、手机充电器、 LCD显示屏、 OLED显示屏、路由器、电子榨汁机、智能手环、吸尘器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

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