NCEP026N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP026N10 型号参数

NCEP026N10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如稳压电源、游戏机、逻辑分析仪、光纤连接器、功放设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子净水器、电子体温计探头、手机充电器、稳压电源、电子搅拌器、交换机、显示器、烟雾报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2

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