MMBTSC3356-3G_CBI_创基_SOT-23_通用三极管

MMBTSC3356-3G_CBI_创基_SOT-23_通用三极管

MMBTSC3356-3G 型号参数

MMBTSC3356-3G是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、 CT扫描仪、摩托车、智能插座、频谱分析仪，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MMBTSC3356-3G
品牌：创基(CBI)
分类：通用三极管
参数：NPN硅外延平面晶体管

应用场景

通用三极管可应用场景，如电子词典、机械硬盘、电子计算器、电子书阅读器、红外感应器、手机充电器、电子空气净化器、投影仪等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
S8550 SOT523	直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
MMDT5551DW	塑料封装晶体管，双NPN
S8550T	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
BC847B	SOT23-3 100mA 100MHz 200mW
MMBT5551T	通用三极管 NPN 电流:600mA 耐压:160V SOT-523
BC856BW	PNP,塑料封装晶体管
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
BC848B	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
78L05	三极管 30V SOT-23
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)

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