MMDT5551DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

MMDT5551DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

MMDT5551DW 型号参数

MMDT5551DW是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如稳压电源、无人机、电饭煲、摄像机、人脸识别设备，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MMDT5551DW
品牌：创基(CBI)
分类：通用三极管
参数：塑料封装晶体管，双NPN

应用场景

通用三极管可应用场景，如 LED显示器、 3D打印机、 LED照明灯、电动车充电器、电子厨房计时器、电子书阅读器、蓝牙音箱、电子琴等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBTSC2712	NPN硅外延平面晶体管 VCEO=50V,IC=150mA(max),hFE=70~700
2SC1623W	晶体管（NPN）SOT323
MMBTSC3356-3G	NPN硅外延平面晶体管
S9012	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT5401T	-
S9018	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT3906T	三极管
MMBT5401	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
MMBT2222A	SOT23-3,NPN,VCEO=40V,600mA

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