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S8550T_CBI_创基_SOT-523-3_通用三极管

S8550T 型号参数

S8550T是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如声卡、模拟信号处理器（ASP）、电子罗盘、射频连接器、电子手表，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：S8550T
品牌：创基(CBI)
分类：通用三极管
参数：晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W

应用场景

通用三极管可应用场景，如气体报警器、电子助听器、虚拟现实头盔、门禁系统、示波器、电磁炉、扫地机器人、可编程逻辑控制器（PLC）等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
BC848B	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
BC847DW	塑料封装晶体管，双晶体管（NPN+NPN）
S9018	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
S9012	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
BC847A	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
S9015W	塑料封装晶体管
MMDT3052DW	塑料封装晶体管，双NPN
MMDT3904DW	三极管
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT5401	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3

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