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MMDT3946DW_CBI_创基_SOT-363_通用三极管

MMDT3946DW 型号参数

MMDT3946DW是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、电子搅拌器、电子门锁、变压器、电子血压计袖带，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MMDT3946DW
品牌：创基(CBI)
分类：通用三极管
参数：晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)

应用场景

通用三极管可应用场景，如 GPS定位器、智能手表、信号发生器、逻辑分析仪、 MP4播放器、触摸屏、汽车电子控制系统、吉他效果器等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2N5551U	三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=250 P=500mW SOT89
MMBT5401	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
BC847A	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
2SB772PU	三极管
SS8050W	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1.5A集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：200mW
MMBT5551	塑料封装晶体管
BC846B	三极管
C945	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 晶体管类型：NPN
MMBTSA1576W	Plastic-Encapsulate Transistors,PNP
MMBT3904T	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN

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