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MDD7N65D_MDD_辰达半导体_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

MDD7N65D 型号参数

MDD7N65D是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子秤、平板电脑、电子灭蚊灯、吉他效果器、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MDD7N65D
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路

应用场景

MOSFETs可应用场景，如功放设备、电子游戏机手柄、音响设备、汽车、汽车电子控制系统、频谱分析仪、电子灭蚊灯、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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